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     OLED的制備工藝實際上是功能薄膜工藝和表面處理工藝的結(jié)合。制備該類器件的關鍵技術有功能層薄膜，金屬電極及透明導電薄膜和保護膜等的制備技術，有機電致發(fā)光器件的制備過程決定了器件性能優(yōu)劣，不同的發(fā)光材料需要不同的器件制備工藝、下面我們就以有機小分子OLED為例，簡單描述有機電致發(fā)光器件的制備方法及工藝流程。

     有機小分子OLED一般采用真空熱蒸鍍的方法進行制備，此類器件（以 PMOLED為例）的陽極通常是采用ITO或者ITO導電玻璃，其制備流程如下：

對ITO玻璃進行處理

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      ITO表面的處理過程為：洗潔精清洗→乙醇清洗→丙酮清洗→純水清洗，均用超聲波清洗機（如騰盛工業(yè)所制造的超聲波清洗設備）進行清洗，每次洗滌采用清洗5分鐘，停止5分鐘，分別重復3次的方法。然后再用紅外烘箱烘干待用。

      對ITO玻璃表面進行處理一定要在干燥的真空環(huán)境中進行，處理過的ITO玻璃不能在空氣中放置太久，否則 ITO表面就會失去活性。

對ITO玻璃進行蝕刻，制備所需要的陽極圖形

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     作用：線路成型。

     蝕刻分為干蝕刻與濕蝕刻，其區(qū)別如下：

     干蝕刻：利用不易被物理、化學作用破壞的物質(zhì)光阻來阻擋不欲去除的部分，利用電漿的離子轟擊效應和化學反應去掉想去除的部分，從而將所需要的線路圖形留在玻璃基板上。干蝕刻等向性蝕刻與異向性蝕刻同時存在。

     濕蝕刻：利用化學藥液將需要蝕刻掉的物質(zhì)蝕刻掉。濕蝕刻為等向性蝕刻。濕蝕刻機臺便宜，蝕刻速度快，但難以精確控制線寬和 獲得極其精細的圖形并且需要大量用水，污染大 ；干蝕刻機臺價格昂貴，蝕刻速度速度慢，但可以精確控制線寬能獲得極其精細的圖形，而且 不需要用水，污染小。

進行圖案化后的清洗工作

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     因為器件功能層厚度僅為幾十納米，粒徑為微米級的灰塵或異物會造成有機材料無法形成連續(xù)薄膜并且影響薄膜表面的平整性，造成器件短路或者擊穿：另外，ITO表面一些無機或有機沾染物會影響有機材料在ITO表面的附著性，降低器件性能。所以，OLED器件對TO表面的潔凈程度要求很高。

     基片清洗的方法有很多，如化學清洗法、超聲波清洗法、真空烘烤法和離子擊法等。將基片放入含有5％左右洗滌劑的去離子水溶液中，加熱至40℃，在70Hz頻率下超聲波振蕩15min，再用40°C去離子水在超聲清洗基片15min，然后在常溫相同頻率下用丙超聲振蕩基片15min，最后在常溫相同頻率下用異丙醇超聲振蕩基片15min。

     把經(jīng)過超聲處理后的ITO玻璃從異丙醇中拿出用N2吹干待用。同時，為了提高ITO陽極的功函數(shù)，通常把吹干待用的基片放入紫外烘箱中進行紫外光照射處理或進行等離子體轟擊處理，在真空情況下送到蒸鍍設備進行器件制備。

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然后把處理好的ITO玻璃村底放入真空蒸鍍腔中

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     當真空度達到3×10^-4Pa以下時開始蒸鍍各個有機半導體功能層，最后在有機層的上面蒸鍍金屬陰極。在有機材料的蒸鍍過程中，當有機材料從蒸發(fā)源中被加熱蒸發(fā)出來之后，有機材料分子或金屬原子將以一定的初速度脫離材料表面向外飛散，如果這些分子或原子在飛散過程中遇上其他分子，這些被蒸發(fā)出來的分子將可能被散射；如果沒有碰到氣體分子，則一部分被蒸發(fā)出的分子將從材料表面勻速直線運動到基板表面，并沉積下來形成一層致密薄膜，薄膜的厚度分布與束源和樣品的相對位置及發(fā)散角等因素有關。

     一般而言，有機小分子在ITO導電玻璃上是均勻?qū)訝钌L的，而且形成的是無定形薄膜，但是也有島狀生長和類似于傳統(tǒng)的分子東外延生長中的準分子束外延生長的有序有機薄膜。

在薄膜的淀積過程中，控制厚度均勻的薄膜和恒定的蒸發(fā)速率是非常重要的，通常有機分子的蒸發(fā)速率控制在一定范圍，如果沉積速率太快，沉積上去的有機分子還來不及通過熱振動弛豫能量，便被隨后沉積上去的分子覆蓋，這樣很容易導致分子排列出現(xiàn)缺陷，使薄膜很容易產(chǎn)生針孔現(xiàn)象，因此需要優(yōu)化設計好蒸鍍源的形狀、尺寸和與樣品之間的距離。

   事實上，真空蒸發(fā)是在一定壓強的殘余氣體中進行的。真空室內(nèi)存在兩種粒子，種是蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子，另外一種是殘余氣體分子。這些殘余氣體分子會對薄膜形成過程乃至薄膜性質(zhì)產(chǎn)生影響。

ITO表面之原子力顯微鏡照片

      如果真空度過低，殘余氣體分子的量很大，真空蒸發(fā)物質(zhì)原子或分子將與大量空氣分子碰撞，會使膜層受到嚴重污染，甚至被氧化燒毀。如果此時沉積的是金屬薄膜，那么這層金屬薄膜往往沒有金屬光澤，表面粗糙，薄膜不均勻不連續(xù)。

     因此要獲得高純度的薄膜，必須要求殘余氣體分子很少，宏觀上表現(xiàn)為真空腔室的背景壓強非常低（高真空度）為了保證現(xiàn)質(zhì)量，蒸發(fā)源到基片的距離為25cm，壓強則需低于3x10^-3Pa，因此，在實際實驗中蒸各功能層時，體壓強均保在在真空蒸鏡過程中，蒸發(fā)速率和薄膜厚度是最重要的兩個參數(shù)。蒸發(fā)速率除與蒸發(fā)物質(zhì)的分子量、絕對溫度和蒸發(fā)物質(zhì)在溫度了時的飽和蒸氣壓有關外，還與材料自身的表面清潔度有關。蒸發(fā)源溫度變化對蒸發(fā)速率影響極大，下方公式描述了蒸發(fā)速率G隨溫度了的變化關系：

   其中，B為常數(shù)。對于金屬而言，B/T值通常在20～30，即：

     因此，在進行真空蒸發(fā)時，蒸鍛源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化。因而在沉積薄膜過程中，必須精確控制蒸發(fā)源溫度，以控制合適的蒸發(fā)速率，同時加熱過程中應避免過大溫度梯度的產(chǎn)生。實驗室常用的通過真空蒸制備OLED的蒸鍍系統(tǒng)設備如下圖所示。

真空蒸鍍系統(tǒng)，來源：OLED顯示技術導論，于軍勝

   （備注：1、儀器控制臺，2、傳送桿，3、O2儲氣罐，4、離子轟擊室，5/8/10、擋板閥，6、有機薄膜蒸鍍腔，7、渦輪分子泵，9、金屬薄膜蒸鍍腔，11、器件封裝室，12、膜厚動態(tài)監(jiān)測儀，13，機械泵）

蒸鍍設備

    1為儀器控制臺，由真空顯示臺、溫控電源、樣品架升降電源、機械泵電源，分子泵電源、離子菱擊電源、金屬蒸發(fā)源、快門控制電源組成，主要功能是在整個器件制各過程中顯示和調(diào)控蒸發(fā)速度與蒸發(fā)溫度等參數(shù)；

    2是傳送桿。

    4室為離子轟擊室，主要功能是對ITO玻璃基片進行O₂離子菱擊，完成預處理；

    6室為有機薄膜蒸腔，配備渦輪分子泵7作為主泵、機械泵1、機械泵3作為分子泵前級，主要功能是在高真空條件下將有機小分子材料蒸被到ITO基片上；

    9室為金屬薄膜蒸鈹腔，主要功能是將金屬蒸到有機功能層上，形成金屬或合金電極；

    11室為器件封裝室，在充滿高純N₂的環(huán)境下對器件進行封裝。
    12是膜厚動態(tài)監(jiān)控儀。
    13是機械泵。